1EBN1001AE دیتاشیت

1EBN1001AEXUMA1

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت 1EBN1001AEXUMA1
حجم فایل 33.652 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 23

مشاهده دیتاشیت 1EBN1001AEXUMA1-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Feature: -
  • Category: Power Supply Chip/Gate Drive ICs
  • Datasheet: Infineon Technologies 1EBN1001AE
  • Fall Time: 90ns
  • Load Type: IGBT;MOSFET
  • Rise Time: 50ns
  • Supply Voltage: 13V~18V
  • Number of Drivers: 1
  • Driven Configuration: -
  • Operating Temperature: -40°C~+150°C@(Tj)
  • Whether the isolation: Non-Insulated
  • Propagation Delay tpHL: 10ns
  • Propagation Delay tpLH: 10ns
  • Peak Output Current(sink): 15A
  • Peak Output Current(source): 15A
  • Package: SOP-14-EP
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه